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KAIST, 홀 효과 한계 보완한 새 반도체 분석기술 개발

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작성자 최고관리자

댓글 0건 조회 319회 작성일 2019-11-14 00:00

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KAIST는 신소재공학과 신병하 교수와 IBM 연구소의 오키 구나완(Oki Gunawan) 박사 공동 연구팀이 반도체 특성 분석의 핵심 기술인 홀 효과(Hall effect)의 한계를 넘을 수 있는 새로운 반도체 정보 분석 기술을 개발했다고 14일 밝혔다. 


이번 연구는 140년전에 처음 발견된 이래로 반도체 연구 및 재료 분석의 토대가 된 홀 효과 측정에 대한 새로운 발견으로 향후 반도체 기술 개발에 이바지할 수 있을 것으로 기대된다.

신병하 교수와 오키 구나완 박사가 교신 저자로, 배성열 박사과정이 2 저자로 참여한 이번 연구 결과는 국제 학술지 ‘네이처(Nature)’ 10월 7일자 온라인판에 게재됐고 11월 7일 정식 게재됐다.
 

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